SJT 11227-2000 电子元器件详细规范 3DA98型NPN硅高频大功率晶体管
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F22507319EEE40CCA79F00B061093262 |
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页数: |
12 |
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日期: |
2009-6-12 |
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ICS 31.080.30,L42,各案号:7560 2000,中华人民共和国电子行业标准,SJ/T 11227 2000,电子 元 器 件 详 细 规范,3DA98型NPN硅高频大功率晶体管,De tai ls p ecificationf ore lectronicc omponents,Type 3DA98 NPN silicon high-frequency power transistor,2000-08-16发布2000-10-01实施,中华人民共和国信息产业部发布,自臼言,本规 范 是 按照GB/'r7 576-1998《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管,第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范》(idt IEC 747-7-4: 1991)标准对,原部标SJ 1410-78进行修订的,符合GB/T 4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成,电路总规范》(idt IEC 747-10: 1984)和GB/C 12560-1999《半导体器件分立器件分规,范》(idt EC 747-11: 1996)的II类要求,本 规 范 与前版的主要差别是:,1 增 加 了前言,2 电 参 数测试方法前版引用的是SJ3 00-314-72《半导体三极管测试方法》,本版引,用的是GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》和GJB,128A-97《半导体分立器件试验方法》,3 试 验 方法前版引用的是SJ6 14-73( 半导体三级管总技术条件》,本版引用的是GB/I',4937-1995《半导体器件机械和气候试验方法》,本 规 范 由信息产业部电子[业标准化研究所归口,本 规 范 起草单位:信息产业部电子工业标准化研究所,本 规 范 主要起草人:赵英、强桂华,本 规 范 首次发布时间:1978年,中华人民共和国电子行业标准,电子 元 器件 详 细规范,3DA98型NPN硅高频大功率晶体管,De ta il s pecificationf ore lectronicc omponents,Type 3DA98 NPN silicon high-frequency power transistor,SJ/T 11227- 2000,代替SJ 1410-78,本 规 范 适用于3DA98型硅高频大功率晶体管,它是按照GB/T 7576-1998《半导,体器件分立器件第7部分双极型品体管第四篇高频放大管壳额定双极型品体,管空白详细规范》标准对原部标的S1 1410-78 ((3DA98型NPN硅高频大功率三极管》,进行修订的,符合GB/T 4589.1-1989 ((半导体器件分立器件和集成电路总规范》和,GB/T 12560-1999《半导体器件分立器件分规范》的11类要求,本 规 范 引用的标准有GB/T4 587-1994(('卜导体分立器件和集成电路第7部分双,极型品体管》、GB/T 4589.工一1989 C1=导体器件分立器件和集成电路总规范》、GB/T,4937-1995(半导体器件机械和气候试验方法》、GB/T 7581-1987《半导体分立器件外,形尺寸》和GJB 128A-97《半导体分立器件试验方法》,中华人民共和国信息产业部2000-08-16发布2000-10-01实施,一 1 一,SJ/T 11227- 2000,中华人民共和国信息产业部,评定电子元器件质量的依据:,GB/T 4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总,规范》,GB/'r 12560-1999《半导体器件分立器件分规范》,SJ/T 11227-2000,3DA98型NPN硅高频大功率品体管详细规范,订货资料:见本规范第7章.,1. 机械说明2. 简要说明,外形图:,符 合 G B/7 7581-1987《半导体分立器件外形尺寸》中,B2-0 1C ,见本规范10.2.,引出端识别:,见 本 规 范10.2.,标志:,见 本 规 范第6章,高频大功率晶体管,品体管:NPN,半导体材料:Si,封装:空腔,用途,电子设备中的功率放大和振荡,3 质量评定类别,I类,参考数据,介 (5 -3 0)M Hz:,Po ,: 3 DA98A: }II W ;,3D A 9 8B : -}' 15 w :,h2l E(W 分15:,Gp :3 D A98A: }1 0d B:,3D A 9 8B : -} ' 12 d B.,己按详细规范鉴定合格的粉件。j鱿有关制八刃的资料,见合格产品一览表.,4 极限值(绝对最大额定值),除 非 另 有规定,这些极限值适用于整个仁作温度范围,条号参数名称符号,数值,单位,最小值最大值,4.1,4.2,4.3,4.4,管壳温度,贮存温度,最高集电极一旅极(直流)电压,3D A 9 8A,3D A 9 8B,最高发射极一发射极(直流)电压,3D A 9 8A,3D A 9 8B,几ase,Ts,g,VCBO,VCEO,-55 175,175,60,80,50,70,}C,'C,V,V,V,V,SJ/T 11227- 2000,表(完),条号参数名称符号,数值,单位,最小值最大值,4.5,4.6,4.9.1,4.9.2,最高发射极一基极反向电压,最大集电极电流,耗散功率”,最高有效结温,VEBO,IC,ptot,T;,4,5,60,175,V,A,W,.C,注:1)降额曲线见本规范第10.1.,5 电特性(检验要求见本规范第8章),条号,特 性 和 条 件,除非另有规定,case 25 0C,(见 GB/T4……
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